Çinli Araştırmacılar 3d Baskılı Sodyum-iyon Mikro Pillerde Gelişme Sağladı
BEİJİNG, 3 Eylül (Xinhua) -- Advanced Materials dergisinde yakın zamanda yayınlanan bir araştırmaya göre, Çinli araştırmacılar, ultra yüksek alan kapasitesi ve artırılmış hız kabiliyetine sahip, düzlemsel ve esnek 3D baskılı sodyum-iyon mikro pillerin (NIMB'ler) bir prototipini geliştirdi.
BEİJİNG, 3 Eylül (Xinhua) -- Advanced Materials dergisinde yakın zamanda yayınlanan bir araştırmaya göre, Çinli araştırmacılar, ultra yüksek alan kapasitesi ve artırılmış hız kabiliyetine sahip, düzlemsel ve esnek 3D baskılı sodyum-iyon mikro pillerin (NIMB'ler) bir prototipini geliştirdi. Düzlemsel NIMB'ler, zengin sodyum kaynakları, hızlı sodyum iyonu iletimi ve düşük maliyetleri nedeniyle yeni bir mikro güç kaynağı olarak umut veriyor. Ancak ince mikroelektrotların sebebiyet verdiği düşük alan kapasitesi bu konuda bir engel oluşturuyor. Çin Bilimler Akademisi Dalian Kimyasal Fizik Enstitüsü'nden araştırmacılar, uygun viskozitelere ve yüksek iletkenliğe sahip 3D yazdırılabilir mürekkepler geliştirdi. Malzeme, etkili iyon ve elektron transfer yollarını korurken, NIMB mikroelektrotlarının çok katmanlı baskısının yaklaşık 1.200 mikrometre gibi çok yüksek bir kalınlığa ulaşmasını sağlıyor. Araştırmada, 3D baskılı NIMB'lerin, santimetrekare başına 2mA'lık düşük akım yoğunluğunda, santimetrekare başına 4,5mAh'lik üstün bir alan kapasitesi sunarak, son teknoloji ürünü basılı mikro pillerden daha iyi performans gösterdiği belirtildi. Yeni NIMB'ler, santimetrekare başına 40mA yüksek akım yoğunluğunda santimetrekare başına 3,6 mAh ile gelişmiş hız kapasitesi ve 6.000 çevrime kadar sağlam uzun vadeli çevrim ömrü gösteriyor. Ayrıca, düzlemsel NIMB mikroelektrotları, çeşitli bükme koşulları altında iyi mekanik esneklik sergiliyor.
