Intel'den Depolama Atağı!

ıntel ve Micron Technology, yakında 25-nm tekniğine göre üretilmiş Flash NAND yongalarını tanıtacak. Yeni teknik sayesinde cep telefonları, katı durum diskleri (SSD) ve taşınabilir medya oynatıcılarının depolama alanları ikiye katlanabilecek.

Haberin kaynağı computerworld.com. Siteye göre ıntel şu an test amaçlı 8 GB NAND yongalarını üreticileri gönderiyor. Habere göre 2010'un bir sonraki çeyreğinde yongaların seri üretimine başlanacak.

Yeni üretim tekniğinin avantajları sadece veri yoğunluğunu arttırılmasıyla kalmıyor; aynı zamanda düşen üretim maliyetleri son kullanıcı cihazlarının fiyatlarına da yansıyacak. Yapı bileşenlerinin ufalması ile beraber bir silikon taşıyıcısından daha fazla yonga kesilebiliyor.

Ayrıca yeni Flash yongalar 5000 yazma/okuma döngüsü boyunca 200 MB/s veri transfer hızına ulaşabiliyor. Lakin ıntel ve Micron Technology çoktan bir sonraki seviye üzerinde çalışmaya başladı: Bu seviyedeki belleklerde 400 MB/s saniye aktarım hızına ulaşmak mümkün olabilecek.

ilk 25-nm yongaların ne zaman son kullanıcı cihazlarında kullanılmaya başlanacağı henüz belli değil.

Bilgi için: ıntel

Telefon: (212) 349 15 00

Haberler